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    GaN驱动芯片

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    单通道、高速、窄脉宽GaN驱动

    NSD2017是一颗单通道、高速、窄脉宽驱动器,专为高开关频率的GaN应用而设计,特别适用于激光雷达应用。其大电流驱动能力,可以支持激光雷达远距离探测;极窄输入脉宽,可以满足激光雷达高测距精度要求;小封装和高频开关特性,优化激光雷达分辨率与点频性能;强抗干扰能力,可以保证激光雷达的安全可靠工作。

    产品特性

    - 满足AEC-Q100车规认证

    - 推荐工作电压:4.75V~5.25V

    - 峰值拉灌电流:7A/5A

    - 最小输入脉宽: 1.25ns

    - 传输延时: 2.6ns

    - 脉宽畸变: 300ps

    - 上升时间@220pF负载: 650ps

    - 下降时间@220pF负载: 850ps

    - 同相和反相输入引脚可用于产生极窄脉宽

    - 具备UVLO保护

    - 工作温度范围:-40℃~125℃

    应用场景

    - 激光雷达

    功能框图

    NSD2017-Q1框图.png

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