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GaN驱动芯片

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高压半桥GaN驱动芯片

- 高压侧电压范围:+/-700V;

- 高低边独立 UVLO 保护功能;

- +2/-4A 驱动电流能力;

- 内置LDO,使驱动电压更稳定可靠;

- 低于 60ns 传播延时,低于 10ns 高低边延时匹配;

- +5/-5V 逻辑地偏置;

- 150V/ns 的高压侧 dV/dt 抗干扰能力;

- Operation ambient temperature:-40℃ ~125℃

- 封装形式: LGA (4*4mm)

- 驱动电压输出NSD2621A: 6V/ NSD2621B: 5.5V/ NSD2621C: 5V

- 半桥、全桥、LLC电源拓扑

- 适配器高密电源

- 太阳能、电机驱动及新能源领域